台灣美光桃園工會昨（7）日公布投票結果，全體會員88.3%支持罷工，依法取得罷工權；台中廠工會預計22日進行第二次勞資調解，後續也可能發動罷工投票取得罷工權。業界關注恐引爆新一波記憶體缺貨潮，再次助漲報價。

這意味台灣美光員工已陸續透過法定程序，取得合法罷工權，在「於法有據」的前提下，罷工危機一觸即發。

美光回應，尊重員工依法享有的權利及法律程序，已聽到並重視員工關切，將持續本於善意與工會溝通，透過既有對話及調解程序推進討論，包括本月稍晚與台中工會後續調解，並繼續與桃園工會溝通，尋求兼顧各方的方案。

台灣美光桃園工會昨天下午召開國際記者會，公布罷工投票結果，並強調若美光董事會後未有具體結果，會有進一步行動，不排除透過簡訊方式與員工通知罷工行動，並規劃於10月19日建議員工以休假形式上凱道發聲。

美光為全球第三大DRAM廠，市占率約25%，台灣美光產能占美光總產能比重高達六成以上，台中（后里）與桃園廠區都為美光生產最先進的產品，在全球記憶體供不應求、價格飆漲之際，台灣美光產線若因罷工而停擺，牽動全球至少15%以上記憶體供給，業界直言「茲事體大」。

時值AI催動記憶體大缺貨，價格飆漲，一旦台灣美光爆發罷工，南亞科、華邦等同業掌握產能優勢，在「有記憶體為王」的大環境下，南亞科與華邦的記憶體將更搶手。

業界分析，原廠優先配置HBM與伺服器DRAM產能，一般型DRAM供應仍吃緊，南亞科、華邦等則承接大廠轉向先進製程後未能滿足的成熟產品需求，且依此供需結構，若美光罷工影響交貨、缺口擴及一般型DRAM，客戶尋求相容規格替代貨源的壓力可能升高。

工會代表表示，桃園工會10月1日至6日舉行投票，2,258名入冊會員中，1,994人投下贊成票，換算全體88.3%的會員支持罷工。

依《勞資爭議處理法》第54條，罷工須經會員直接、無記名投票，取得全體過半數同意，本次法定門檻為1,130票，同意票超出864票，工會在調解破局後完成法定投票程序，取得罷工及設置糾察線權利。

美國記憶體大廠美光與台塑集團旗下DRAM廠南亞科將同步擴大投資台灣。台灣美光董事長盧東暉昨（1）日表示，在台灣導入生產最先進的記憶體製程，台中HBM先進封裝二廠本月啟用，並擴建銅鑼、桃園、台南廠區；國科會則宣布，南亞科拍板進駐南科屏東園區。

南亞科未揭露屏東投資金額，業界估，蓋一座新廠至少千億元起跳。台灣美光方面，公司統計，截至今年6月在台累計投資已逾1.6兆元，隨著台中、銅鑼、桃園、台南廠區持續動起來，業界估後續還會投入數百億元。

加上華新麗華集團旗下華邦也在高雄擴產，這三家記憶體廠後續在台投資金額可望朝2,000億元靠攏。三大記憶體廠同步加碼，凸顯台灣在全球記憶體供應鏈的角色正從製造基地，進一步轉向AI時代的策略供應重鎮。

南亞科將落腳屏東，讓台灣最南的縣市也有半導體製造廠區，台灣整體晶圓廠北起新北，向南延伸至屏東，短短的300多公里、車程約四小時的距離匯集數十座晶圓廠，是全球晶圓廠密度最高的地區，更彰顯台灣在全球半導體製造的戰略地位，打造堅強的「矽盾」。

盧東暉指出，美光1994年以銷售辦公室進入台灣，正加速把台灣打造為AI記憶體製造核心，近四年投資規模已追平先前約25年的總和，布局涵蓋DRAM前段製造、封裝測試、HBM、研發、產品開發及實驗室。

他透露，先進製程是美光這波投資主軸，目前台灣已承接1α、1β及1γ製程，其中，1γ是美光首個採用EUV微影技術的DRAM製程。隨AI伺服器擴大採用HBM，美光也將前段晶圓製造與後段先進封裝能力集中在台灣。

台中是美光在台最大製造基地，也是HBM後段製造重鎮。因既有先進封裝空間不足，美光自去年起將一座傳統廠房改造成先進封裝二廠，預計10月中完成改造並啟用。

前段產能方面，美光今年接手購自力積電的銅鑼P5廠後，目前已有逾百台機台進駐，並啟動銅鑼第二座廠房工程。桃園Fab 11E則是美光北台灣下一個先進製程據點，新廠專為EUV設備興建，除強化樓板承重、無塵室高度與維護空間，也預留未來更先進的High-NA EUV設備需求，預計2028年前後上線。

台南廠也加快設備建置。盧東暉表示，美光將購自友達的面板廠房改造成半導體設施，其中一座11公尺高的倉庫已改建為三層無塵室，設備自9月初陸續搬入，以前段晶圓測試為主。

另外，國科會科學園區審議會昨通過南亞科進駐南科屏東園區案，但未揭露投資金額。國科會表示，南亞科進駐園區後，將深化在地生產與技術研發，帶動南部半導體產業聚落及人才培育。

國科會表示，南亞科投資屏東，主要從事先進半導體3D晶圓封裝及測試業務，以矽穿孔與晶圓堆疊技術，開發高容量、高頻寬、低延遲、低功耗記憶體模組，並透過深化客戶合作與確保供應鏈彈性，持續推動技術創新。

美光周三美股盤後公布上季營收、獲利都優於華爾街預期，本季展望樂觀，惟受制於員工加薪及獎勵性薪酬增加影響，公司示警本季毛利率將略為下滑。受毛利率面臨下滑壓力影響，美光周三美股盤後走勢平平，周四早盤開低翻紅後又走低。

展望本季，美光預估，營收將成長13%，中間值約615億美元，高於分析師平均預估的568億美元。扣除部分項目後，預估每股純益中間值約落在38.15美元，高於市場預估的36.02美元。

美光預期，本季毛利率將略降至86.25%。公司強調，本季毛利率將是整個財年毛利率谷底，之後幾季毛利率將會走高。

美光加快台灣先進DRAM與HBM布局腳步，主要夥伴力積電跟著旺。力積電先前透過出售銅鑼P5廠給美光，雙方並建立合作夥伴關係，力積電將在新竹廠區承接美光HBM後段晶圓製造（PWF），並透過DRAM製程合作，攜手切入3D AI供應鏈。

力積電表示，全力打造承接美光HBM後段晶圓製造量能，同時為3D AI布局做好準備，相關效益值得期待。

根據美光與力積電協議，力積電將在新竹廠區提供美光HBM╱PWF代工服務；美光則協助力積電提升新竹P3廠的利基型DRAM製程，讓合作從廠房交易延伸至先進封裝與記憶體技術。

力積電總經理朱憲國先前表示，公司原有Wafer-on-Wafer（WoW）晶圓堆疊設備與PWF所需設備約七成可以共用，因此不必從零建置產線，可降低新增投資並縮短導入時間。

相關PWF產線已在新竹廠區擴建無塵室，規畫第4季展開試產，目標明年第4季量產，規畫月產能約2萬片。

PWF也能與力積電原有技術布局銜接。公司已投入WoW、矽中介層及矽電容晶圓等領域，並將相關能力整合為3D AI Foundry。

雙方另一項合作是DRAM製程升級。力積電表示，與美光合作的1P製程已進入開發階段，預計2027年首季導入新設備、2028年上半年完成試產，下半年進入量產。

在半導體、航太及高端生醫製程不斷邁向極限之下，材料的耐溫、抗靜電、潔淨度與國際生技法規合規，攸關全球頂尖大廠良率與安全性，也是精密製造維持競爭力的核心關鍵。

為解決產業界共同焦慮，賽門工業（Simon Industry Corp.）由派克漢尼汾（Parker Hannifin）與杜邦（DuPont）資深工程師組成的頂尖團隊，推出一系列兼具環境永續與極致性能的技術解方。

憑藉深厚的聚合物化學底蘊，賽門成功研發出「230~250°C熱壓設備專用無痕氟彈性體（FKM）」，不僅完美達成與鈦合金的搭接應用，在高溫高壓下依然維持零污染、不變形的高規格表現，具備優異的ESD（抗靜電）與 Silicone-Free（無矽）特性，徹底杜絕高溫環境下靜電危害與矽污染風險。

針對精密輸送痛點，賽門推出的跨領域抗靜電彈性體解決方案，已廣泛應用於化合物半導體（Compound）、IC、晶圓及鏡面玻璃的輸送吸盤與配件。其指標性產品「無痕跡ESD吸盤」更已順利通過驗證，正式列入tsmc的合格供應商批准名單。多家設備製造商一致肯定，其性能相較於傳統矽膠具有壓倒性優勢，能顯著解決黏著、破碎、真空損失及作動回復緩慢等痛點。這份無可替代的技術與速度，讓賽門工業在去年第4季參與美光（MU）的建廠專案，在建廠初期即協助優化材料配置。

除半導體與航太領域，如低軌道LEO衛星推進劑儲液囊及MIL-R-83248、AIDC S-300軍航規格認證外，賽門更展現進軍全球醫療與生醫市場的強大實力。近兩年多來，持續與美國知名藥廠緊密互動，成功開發出符合美國FDA嚴格規範、PFAS-Free以及REACH SVHC 253項（2026年5月最新公告）最高標準的彈性體配方。

美國記憶體大廠美光執行長梅羅塔在周三美股盤後的財報會議表示，AI需求強勁，預期2027及2028財年記憶體與存儲供需狀況，會比2026財年緊俏得多，看好2027財年伺服器相關業務將繼續增長。供應方面，記憶體供給成長的結構性限制仍然存在。

法人認為，美光釋出的樂觀記憶體產業展望，預期2027及2028財年還會一路缺貨，意味南亞科、華邦等台灣DRAM廠未來兩年都會是「好年」。

梅羅塔在聲明中表示，客戶已大幅提高長期供應協議下的金額承諾，總金額從6月公布的220億美元，已增至320億美元，其中大多數是以現金訂金形式支付。

美光財務長墨菲指出，長期供應協議下的剩餘履約義務（RPO）已增至約1,500億美元，高於上一季公布的約1,000億美元。這項指標可反映未來已簽約的營收。

在市場強勁的需求驅動之下，墨菲提到，預期2027會計年度將再創紀錄，且每一季營收都將較前一季成長。

美光目前接獲的訂單遠超過其產能所能供應的數量，該公司已於7月宣布，規劃直到2035年，在美投資金額將提高至逾2,500億美元。

梅羅塔並透露，美光已為2027年大部分的HBM產量取得供應協議，並將把2027年度資本支出提高至高於先前規劃的水準，以擴充產能。他並提及，美光「擁有強勁的下一代HBM產品藍圖」，並正與輝達合作開發業界「首款客製化HBM實作方案」。

美光認為，HBM的成長速度在2028年之前會超越傳統DRAM，這意味著就產業的產能占比而言，HBM 的市占率正不斷成長。

　　美國記憶體大廠美光（Micron）財報、財測雙報喜，上季營收542 .29億美元、調整後每股盈餘（EPS）33.42美元，均優於市場預期，本季營收更上看615億美元。AI基礎建設需求持續強勁，帶動記憶體景氣升溫，台廠南亞科、華邦電、力成等記憶體族群營運也可望受惠。

　　美光執行長梅羅特拉（Sanjay Mehrotra）在財報電話會議上表示，美光目前已簽署26項長約，鎖定約1,500億美元長期訂單，2027和 2028年記憶體市場供需將比2026年更緊俏，而且「看不到供需恢復平衡的盡頭」。

　　美光在美股盤後公布2026會計年度第四季財務數據，營收達542.2 9億美元，高於市場預期的510.7億美元，較去年同期113.15億美元大增379％；以非美國一般公認會計原則（Non-GAAP）計算，調整後淨利達383.98億美元，調整後毛利率為87％，調整後EPS 33.42美元，高於市場預期的31.61美元。

　　展望本季，即2027會計年度第一季，美光預估營收約615億美元，上下浮動15億美元；調整後EPS為38.15美元，上下浮動1美元，雙雙優於市場預期，調整後毛利率則預估約86.25％。

　　美光2026會計年度全年營收達1,331.88億美元，較前一年度373.7 8億美元大幅成長；調整後淨利為867.58億美元，調整後EPS達75.52 美元；第四財季營業現金流達439.7億美元，全年達896.8億美元。

　　法人維持對記憶體產業正向看法，認為財務數字略優於市場預期。本季調整後毛利率預估較上季下滑，主要反映薪酬等成本因素，並非需求轉弱；惟記憶體報價與毛利率基期已高，後續成長速度可能放緩。

　　隨AI模型訓練與推論規模擴大，輝達、超微等晶片業者推出的新一代AI運算平台，需要搭配更多高頻寬記憶體（HBM），持續拉升高階記憶體需求。

　　台廠南亞科、華邦電可望受惠DRAM供需吃緊及報價走揚，力成則有望受惠記憶體封測需求成長；威剛、群聯及宜鼎等模組與控制晶片業者，隨下游客戶需求升溫，後續營運仍須觀察庫存成本、產品組合及漲價轉嫁能力，實際受惠程度各有差異。

　　美光上季營收542.3億美元、EPS 33.42美元均優於預估。台灣美光科技董事長盧東暉表示，美光正加速全球產能布局，目前看2027年至 2028年記憶體供應將更加緊張，其中2027年絕大部分HBM產能已與客戶簽訂長期協議，合約價格優於2026年，反映AI記憶體需求持續強勁。

　　美光10月1日舉辦媒體交流茶敘，公司已與多家核心客戶簽署三至五年的長期戰略合約，部分合約甚至延伸至2030年至2031年。HBM方面，目前HBM4量產品質、良率及驗證等進展順利，量產學習曲線較上一代HBM3E更快；HBM4E持續與主要客戶共同開發，具體量產時程尚未公布。

　　隨著HBM需求升溫，美光擴大台灣投資，強化先進製造布局。盧東暉說，美光在台累計投資已超過1.6兆元（約520億美元），約一半集中於近四年，超過此前25年的總和；目前桃園、台中、台南及苗栗銅鑼四大廠區同步擴張，台灣持續扮演美光先進DRAM、HBM及先進封裝製造的重要基地。

　　其中，台中既有廠房改造的先進封裝二廠預計10月中旬啟用，主要支援HBM擴產；桃園Fab 11E已於7月動工，將支援EUV及未來High-NA EUV微影技術，預計2027年底至2028年初上線。美光2月收購力積電銅鑼P5廠持續導入設備，並展開第二座無塵室建設；台南廠首批機台已於9月初進駐。

　　盧東暉說，美光全球擴產除新建廠房，也充分利用台灣在內的既有基地擴建；除台灣、日本、新加坡等生產基地外，美光擴大「美國製造」，愛達荷州推進兩座先進DRAM晶圓廠、紐約州規劃四座DRAM晶圓廠，維吉尼亞州既有廠區也持續更新，因HBM與AI GPU主要客戶集中美國，就近服務客戶亦具戰略意義。

　　美光全球擴產也帶動台灣供應鏈向海外延伸。盧東暉說，包括帆宣參與美國愛達荷州博伊西廠機台安裝，亞翔參與新加坡廠建設，漢唐參與日本廣島新廠相關工作，洋基、聖暉亦參與海外工程，中鼎則承接新加坡晶圓測試廠營建等，台灣累積的半導體工程與供應鏈能力，正隨美光全球擴產向海外延伸。

環境部昨（15）日公布總量管制與碳排放交易制度（ETS）重大進展，碳交所將於11月底上線ETS試行拍賣平台，2027、2028年將分兩階段由台積電、台塑、中鋼、中油、台電等18家綠色成長聯盟業者「打頭陣」試行，最後再「雙軌並行」，由碳費與ETS制度接軌國家減碳目標。

環境部昨日舉辦「台灣碳定價的下一步」記者會，部長彭啓明說明台版ETS政策方向。環境部表示，碳費2025年上路，並已完成首次徵收，碳定價下一步將是碳費、ETS雙軌並行，透過分階段試行、企業能力建構及市場基礎設施整備，讓碳定價成為促進實質減量與產業轉型的動力。

被環境部點名「打頭陣」的綠色成長聯盟成員，包括台塑、中鋼、台積電、台電、中油、台泥、長春石化、友達、聯電、台灣美光、永豐餘、東和鋼鐵、日月光、奇美、台達電、宏碁、華碩、世界先進等18家排碳大戶，初期參與共計127廠，排放量約占盤查列管排放量的八成。

碳交所總經理陳脩文表示，ETS試行拍賣平台預計11月底上線，試行階段不會牽扯到交易、沒有金流，不會對企業造成負擔，邀請這些企業到系統嘗試交易，預計系統承載量約100多人，每月也會產出相關管理報表，讓環境部了解價格形成的過程與市場需求。

環境部官員表示，試行計畫分兩階段，第一階段不涉及金流，參與試行業者會利用環境部分配的排放額度，在試行平台上模擬交易，希望企業利用每月拍賣來管理碳排，氣候署也會啟動法規調整，企業不會同筆碳被收兩次錢，待法規調整完備後，第二階段試行計畫，就有機會「真槍實彈」上陣。彭啓明強調，碳費與ETS制度並行，最需實務經驗，為確保制度完整，此次也與德國合作。他強調，「不能等到2030年後再推ETS」，現在所做的方向，是為了2030年後，台灣減碳要更加大步伐往前走，追趕國際腳步。

記憶體景氣旺，員工共享獲利成果，三星、SK海力士發放分紅獎酬，美光祭出史上最高規模獎勵，帶動市場關注台廠分紅動向，在網路社群傳出群聯將提供員工百萬元分紅；威剛證實今年員工獎金、分紅將大幅提高；十銓則表示，實際發放仍視全年營運及個人績效而定。

記憶體漲價、缺貨潮延續，相關業者受惠價量齊揚，營運表現升溫，分紅成為市場熱門話題，從國際大廠到台灣控制晶片、模組業者，獎金、薪水是否隨公司獲利成長，備受關注。

台廠方面，群聯近日成為社群討論焦點。有網友分享，年資五年、考績A，7月領取分紅150萬元；另有人表示，年資三年、考績B+，分紅達100萬元，還有網友自稱年資僅1.3年、考績B+，分紅達119萬元以上，引發熱議。

威剛指出，公司去年獲利績效大幅成長，今年配發給員工的獎金、分紅也提高很多，但不透露具體幅度。隨營運成果反映在員工獎酬，威剛也加入這波記憶體業分享獲利果實的行列。

十銓則說，會依相關規定提列員工酬勞，但實際獎金及分紅仍須考量全年營運表現與個人績效，目前不便預估今年平均增加幅度。

大陸DRAM龍頭長鑫存儲今年第2季的稅前利潤率達到82%，超過SK海力士、美光、三星電子半導體業務等主要記憶體廠商，成為該季全球利潤率最高的記憶體企業。

分析認為，長鑫存儲利潤率上升，與其主力產品記憶體DDR5價格大漲有關，隨著三星、SK海力士和美光將更多資源投入用於AI伺服器的高頻寬記憶體（HBM），普通DRAM供應趨緊，DDR5價格大幅上漲，長鑫存儲是最大受惠者。

日經亞洲報導，市調公司QUICK FactSet及企業披露數據顯示，SK海力士今年第2季稅前利潤率為76%，三星電子半導體業務為70%。長鑫存儲的營收較去年同期增長約10倍，在長鑫存儲、三星、SK海力士、美光、鎧俠和Sandisk六家企業中增速最高。

不過，從利潤金額來看，長鑫存儲仍低於SK海力士、美光等企業。此次領先主要體現在單季度稅前利潤率，並不代表整體規模已經超過全球龍頭記憶體晶片廠商。

長鑫存儲主要生產DRAM晶片，主力產品DDR5占其總產量六成，主要使用於資料中心、個人電腦和遊戲主機等領域，客戶包括阿里巴巴、字節跳動和騰訊等科技公司。

HBM和DDR5的合約模式也存在差異。HBM通常由廠商與大型雲服務商簽訂年度供應協定，短期價格受市場波動影響較小。DDR5價格與現貨市場供需聯繫更加緊密，因此在當前漲價週期中的盈利能力提升更快。

記憶體市況火熱，同樣也反映在員工薪酬上，記憶體大廠美光（Micron）昨（11）日宣布發放公司史上最高規模的2026會計年度（FY26）獎酬，全球逾6萬名員工受惠。

台灣符合資格員工每人可領取100萬元感謝現金獎金，年度績效獎金最高達基本目標的500%，加計股票獎酬，台灣產線員工整體薪酬相當於35至68個月薪資。

美光此次獎酬涵蓋現金、年度績效獎金及股票，除了百萬元獎金吸睛，也持續推動全員持股，台灣員工年度股票獎酬覆蓋率達100%，新一輪年度配股預計10月底配發，讓員工分享公司成長成果。

美光表示，FY26獎酬規模創公司最高水準，肯定員工今年對營運成果的貢獻，落實讓員工共享成長果實的長期承諾。台灣地區於2025年8月29日前到職的員工，每人獲得100萬元感謝現金獎金；FY26期間新進員工則依實際在職期間按比例發放。

年度績效獎金方面，美光台灣員工最高可領取基本目標的五倍，另有額外股票獎酬，以台灣產線員工而言，加計相關獎酬後，整體薪酬約當35至68個月薪資，反映此次獎勵規模。

美光揭露台灣員工薪酬水準，FY26現金薪酬將從170萬元起跳，以初階工程師為例，平均現金薪酬約290萬元，若再納入以授予價值計算的股票獎酬，平均整體薪酬可達340萬元，現金與股權獎勵同步到位。

股票獎酬是美光薪酬制度另一大重點，美光強調，透過年度配股，不同職務、符合資格員工持有美光股份，目前台灣員工集體持有的美光股票，依現值估算總市值已超過1,000億元。

台灣是美光全球生產與技術布局的重要據點，目前在台員工約1.5萬人，累計投資金額超過1.6兆元。

　　美光（Micron）台灣勞資爭議升溫。據Tom’s Hardware報導，美光台灣工會近期針對罷工進行初步意向調查，參與調查者約8成支持採取罷工行動，工會主要訴求聚焦獎金及獲利分享制度，希望公司在記憶體景氣與獲利大幅改善之際，建立更透明、與公司獲利連動的分紅機制。

　　針對此一議題，美光30日表示，團隊成員的貢獻與投入，一直是美光成功的重要基礎，公司重視每一位團隊成員的聲音，並致力於透過開放、直接且具建設性的溝通，了解並回應不同意見。「我們將持續與團隊成員保持對話，共同營造相互尊重的工作環境。」

　　據了解，目前相關勞資議題仍處於內部協商階段，尚未進入正式勞資爭議調解程序。

　　依《勞資爭議處理法》，勞資爭議須先經調解不成立，工會其後並須經會員直接、無記名投票，取得全體會員過半數同意，才得宣告罷工。

　　美光是台灣大型外商雇主之一，官方資料顯示，在台團隊成員超過 1萬人，並在台中、桃園等地設有重要DRAM製造與先進封裝據點。由於台灣也是美光HBM重要生產基地，此次勞資爭議進展格外受到記憶體市場關注。

　　Tom’s Hardware指出，台灣約占美光全球6成生產能力，目前多數 HBM產出也來自台灣設施。

　　美光官方資料顯示，台中先進封裝測試廠整合先進探測、3D封裝及測試能力，是其HBM量產的重要基地；新加坡HBM先進封裝廠則預計自 2027年上半年起，開始對美光HBM封裝產能產生顯著貢獻。

　　產業界人士認為，若後續勞資爭議擴大至實際停工，在全球DRAM與 HBM供給仍偏緊之際，可能進一步牽動記憶體供應。

　　此次爭議核心，在於美光現行獎金制度是否能更直接反映公司獲利。據了解，美光今年以來已四度發放達最高水準的績效獎金，員工關注的IPP（Incentive Pay Plan）相關方案則預計於10月公布，在此之前，勞資雙方仍將持續溝通。

　　由於韓廠SK海力士已建立以年度營業利益10％作為員工獎金基礎的制度，三星電子今年也與工會達成將半導體事業獲利一定比例用於員工獎金的協議，使美光台灣員工更加關注與韓系同業間的獲利分享差距。

　台灣美光26日於苗栗銅鑼廠區舉行揭牌典禮，力積電總經理朱憲國接受媒體訪問時表示，隨著AI應用快速升溫，力積電正推動業務版圖轉型，未來不再僅停留在傳統邏輯代工與特殊製程代工，而是進一步延伸出第三塊新業務。

　　此為力積電AI相關的3D整合服務，將整合Interposer、Wafer-on- Wafer與PWF等技術，定位為「3D AI Foundry」，作為該公司下一階段營運成長的重要支柱。

　　朱憲國指出，AI正帶動半導體供應鏈重組，也讓晶圓代工廠必須從過去以製程代工為主的模式，進一步朝高附加價值的整合製造服務發展。力積電未來三大事業主軸都將朝AI相關方向靠攏，藉此淡化過往依賴成熟製程、與中國大陸低價競爭的營運模式，轉向技術門檻更高、客戶黏著度更強的新賽道。

　　在外界關注的美光合作案上，朱憲國表示，力積電此次並非直接生產HBM本體，也未規劃切入base die或Interposer製造，而是承接HB M供應鏈中的PWF服務，扮演介於前段晶圓與後段封裝測試之間的關鍵製程角色，成為美光生態系中的一環。

　　朱憲國透露，目前該合作案已進入前期建置階段，該公司已在新竹規劃新建無塵室空間，接下來將陸續進機並建置產線，目標是在明年第三季開始送樣驗證，驗證時間預估約半年。若整體進度順利，較明顯的代工業務貢獻可望自後年起逐步顯現，並為力積電增添新的成長動能。

　　他指出，力積電原本就具備wafer相關製造經驗，但此次合作所需的PWF製程，與傳統wafer製程之間仍存在差異，因此，無法直接沿用既有流程，仍須重新建線，並完成客戶驗證。

　　不過，因該公司已有相關晶圓製造基礎，導入速度仍會比完全沒有經驗的業者更快，也有助於縮短切入時程、控制投資效益。

　　隨著AI伺服器、HBM與先進封裝需求同步升溫，力積電透過3D AIF oundry切入美光PWF供應鏈，不僅有助打入國際記憶體大廠體系，也象徵公司營運結構正由過去偏重成熟製程，逐步轉向AI驅動的高價值製造平台。若後續驗證與量產進度順利，3D AI Foundry可望成為力積電中長期轉型的重要支柱。

　記憶體大廠美光26日於苗栗銅鑼廠區舉行揭牌典禮，宣告加碼深耕台灣、積極布局先進記憶體製程。美光全球營運前段製造資深副總裁 Buddy Nicoson表示，AI正快速推升全球半導體市場規模，預估2026 年將突破1兆美元，其中，記憶體與儲存將是成長最快的領域之一。

　　他指出，美光將持續投資美國、日本、新加坡、印度與台灣，建立高韌性、高效率的全球製造網路，以支撐AI時代快速擴張的市場需求。此次美光銅鑼廠揭牌，不僅代表新廠正式納入美光全球製造版圖，也反映台灣在美光先進記憶體戰略中的地位持續提升。

　　行政院長卓榮泰表示，美光迄今在台投資1.4兆元，是台灣最大外資投資者，台灣也是美光全球最大生產基地。政府長期支持相關合作，經濟部去年核定美光第二期「高效能暨高頻寬記憶體技術」研發補助，支持美光在台布局全球領先的HBM技術，帶領台灣半導體鞏固國際關鍵地位。

　　美光預期，銅鑼廠區將於2028財年（自2027年9月起），開始自現有晶圓廠支援具規模的產品出貨。

　　台灣美光董事長盧東暉表示，未來銅鑼廠將納入美光大台中廠區整體布局，成為延伸製造基地，並與既有廠區形成更緊密分工，進一步強化美光在台灣先進DRAM製造的戰略地位。

　　該公司預計至2026年底，台灣團隊規模將擴大至約1.5萬人，其中銅鑼廠將新增約1,000名員工，職缺涵蓋製程、設備、品管、廠務及環安衛等領域，持續擴大在地人才培育與營運量能。

美光公布亮麗財報，以及樂觀財測展望，雖市場擔憂聯準會轉鷹，逢高獲利賣壓衝擊股價表現，不過記憶體缺貨、漲價趨勢並未改變。觀察十檔含美光權重最高的ETF，今年以來包括主動統一全球創新（00988A）、主動元大AI新經濟、兆豐洲際半導體ETF，仍繳出雙位數的報酬，主動台新龍頭成長ETF也有4.6%漲幅。

受中東戰火影響，近一個月市場波動加劇，持股美光的ETF漲跌互見。主動統一全球創新ETF經理人陳意婷表示，五大雲端服務供應商（CSP）業者資本支出目標上修23%到6,800億美元，相較去年成長64%，顯示AI算力需求持續爆發增長。今年AI投資有三大關鍵詞，「缺料、規格升級、擴大應用」，三者兼具議價能力最強，評價提升空間也最大，所以最看好記憶體和光通訊。

除了AI，全球電力基建相關公司的訂單能見度更高，利潤率也上修到歷史新高，顯示全球電力基建需求持續強勁且不可或缺，因此也看好核電供應鏈、燃料電池及電力設備股。

台新標普科技精選ETF研究團隊指出，美伊戰爭愈演愈烈，荷莫茲海峽持續遭到伊朗封鎖，美國原油期貨價格再度飆漲，加劇了經濟恐受到能源危機及通膨衝擊的擔憂，美股近日再度呈現震盪整理走勢。後續將觀察川普政府對於關稅的變動與美伊戰爭進展。由於短期通膨預期上升，先前高估值的科技股恐遭評價下修，但半導體基本面需求仍由AI資本支出主導，技術與規格升級、關鍵零組件與材料缺貨以及循環慣性改變，並不受地緣政治衝突影響，預估震盪後相關題材仍為市場主軸。

主動群益美國增長經理人吳承恕表示，現階段看美國經濟活動仍維持穩健擴張，最新FOMC會議上調今年美國GDP成長率至2.4%。在企業獲利表現上也保有韌性，就已公布完畢的去年第4季企業財報，S&P500企業整體EPS成長率為14.1%，已連續第五個季度繳出雙位數增長。

美國記憶體大廠美光受惠AI驅動記憶體缺貨漲價潮，上季財報與本季展望優於市場預期，本季毛利率預估衝破八成，創半導體製造業驚人記錄，甚至比輝達與台積電還高，執行長梅羅塔高喊記憶體持續供不應求，將擴大本年度與明年度資本支出擴產。

美光18日舉行財報會議，宣布截至8月底止的本年度資本支出將逾250億美元，明年度資本支出更將「大幅提高」，製造設備與廠房興建相關成本將增加逾百億美元。

法人指出，美光持續看旺後市，台灣南亞科、華邦、威剛、十銓、宜鼎、群聯等記憶體相關廠商也將沾光，惟美光大手筆擴產，也讓市場憂心後續新產能開出後，是否影響記憶體「景氣超級周期」走勢。

受相關疑慮影響，加上股價已先行創高，美光公布財報後，18日盤後股價由紅翻黑，下跌近4%，19日早盤一度重挫6%。台灣記憶體相關族群則走勢不同調，威剛、十銓、宜鼎等逆勢收紅；華邦、南亞科跌逾4%。

美光結算，上季營收239億美元，季增75％，年增196％。其中，占該公司近八成業績的DRAM相關營收年增2.07倍，儲存型快閃記憶體（NAND Flash）業績則年增1.69倍。

美光上季獲利更是驚人，Non-GAAP毛利率高達74.9％；淨利140.2億美元，季增1.55倍，年增6.86倍；淨利率達59％，稀釋每股純益12.2美元。美光表示，上季DRAM平均銷售單價季增約65％，NAND晶片平均銷售單價則季增約78％。

美光執行長梅羅塔指出，上季表現超乎預期，「營收、毛利率、每股純益及自由現金流全都創新高」。

更令市場驚豔的是，美光估本季營收將達335億美元，超越該公司2024會計年度以前的全年業績，毛利率展望達約81％，毛利率預估甚至比輝達、台積電都高。梅羅塔預期，本季營收、毛利率及自由現金流也將創紀錄，AI與傳統伺服器正面臨「缺乏充足的DRAM和NAND晶片供應」。

美光透露，業績與展望之所以能大幅提升，主要是AI驅動記憶體需求增長、結構性供應限制，以及公司在各方面強大執行力所共同促成的結果。該公司並透露，簽署了第一份長達五年的供貨合約協議。

資料中心用的HBM方面，美光指出，HBM4產品產能爬坡與量產出貨持續推進，預期將比HBM3E更快達到夠成熟的良率。為輝達Vera Rubin平台生產的HBM4將在今年6月至8月間量產，下一代HBM4E開發順利，估計明年開始量產。

美光高喊記憶體持續供不應求，將加碼逾百億美元擴產，法人看好，美光大投資建廠，亞翔、洋基工程、漢唐等主要建廠設備工程夥伴將迎來大單。

亞翔是美光新加坡高頻寬記憶體（HBM）封測廠及台灣銅鑼廠的主要廠務供應商，受惠大客戶訂單源源不絕，亞翔去年合併營收774.85億元，年增19%；毛利率15.97%，年增3.49個百分點；稅後純益71.45億元，年增64.8%，每股純益30.51元，連續二年繳出營收、稅後純益及每股純益同創新高的成績單。

亞翔尚未施工合約金額仍高達1,700億元以上，訂單能見度極高，重心聚焦新加坡、台灣兩地。隨美光等大客戶廠務工程持續推進，法人看好，亞翔2026年與2027年獲利動能穩定向上。

洋基工程去年底接獲美光承接友達位於南科工的廠房改建逾200億元大單，創該公司單一訂單最高金額紀錄，預計2027年上半年完工。

在主要客戶訂單加持下，洋基工程去年合併營收223.52億元，年增47.1%；稅後純益29.85億元，年增47.1%，每股純益24.76億元，年度營收及獲利雙創史上新高，展望2026年業績將持續喊衝。

漢唐也是美光重要夥伴，公司預期，隨著記憶體大廠建廠與擴廠計畫預期將擴及後段製程，將與大客戶緊密配合，確保競爭優勢與市場占有率。漢唐去年稅後純益90.69億元，年增46.5%，每股純益48.08元，連續四年刷新獲利紀錄。

聖暉、帆宣也是台灣重量級半導體廠務工程設備業者，截至目前為止，聖暉在手訂單逼近600億元，為2026年營運吃下定心丸。帆宣積極配合客戶布局海外市場，今年展望同步樂觀。

另外，力積電已完成與美光總價值18億美元的銅鑼廠交易。隨著廠務設施正式移交美光，雙方後續將依約在力積電新竹廠區展開高頻寬記憶體（HBM）與後段晶圓製造（PWF）代工合作，意味力積電與美光合作全面啟動，也將是美光大投資的受惠台廠。

整體記憶體市況持續發燒，相關廠商大賺之際，DRAM與儲存型快閃記憶體（NAND Flash）供不應求、價格一路飆漲不利終端電子產品發展。

美光示警，2026年由於包含DRAM與NAND晶片供應限制在內的多項因素干擾，可能導致PC與智慧手機出貨量出現年減低雙位數百分比（11%至13%）的狀況。

不過，美光同時提到，終端裝置AI將會驅動PC與智慧手機上記憶體容量強勁增長。

例如具備裝置端代理AI功能的PC，建議記憶體容量配置至少32GB，是平均PC配置的兩倍。

另外，不少智慧手機都逐漸配置AI代理功能，這使得搭載12GB或更高容量DRAM的旗艦機種出貨占比已在去年第4季達到近八成，遠高於一年之前還不到20％的比率。

美光強調，該公司已做好充分準備，將把握這些市場機遇。

光通訊年度大展OFC 2026本周於洛杉磯登場，隨AI資料中心規模持續擴張，新一代短距離光互連技術，成為市場焦點。過去多被視為顯示技術的MicroLED，跨入資料中心光通訊應用，被看好成為AI基礎設施升級的重要新趨勢。

　　法人指出，隨MicroLED作為光源導入高速互連，供應鏈分工已逐步浮現，台積電、聯發科帶領相關供應鏈持續推進光通訊領域。在ASI C端，除Avicena已率先推出LightBundle評估平台外，仍在開發中的還包括Credo、Marvell與聯發科。

　　光源端以富采最受關注，主因其已將MicroLED與AI光通訊、光傳輸列為重點應用，並具備4吋、6吋、8吋晶圓製程，以及從磊晶、晶粒到封裝的垂直整合能力。接收端PD（光檢測器）方面，鼎元因既有S i Photo-diode Chip產品線，被視為有機會承接未來可見光波段接收需求。

　　法人指出，目前在技術領跑者中，最具代表性的是美國新創Avice na。該公司已推出LightBundle eKit，號稱全球首個MicroLED光互連評估平台，並可在OFC 2026展示512Gbps連結，採用ASIC-based tra nsceiver架構，整合LED、PD與微透鏡陣列，再透過多芯光纖束傳輸。

　　Avicena與台積電合作優化矽光PD陣列，早期投資人包括三星與美光。

　　除Avicena外，其他晶片業者也正加快布局。Marvell已攜手MojoV ision開發高密度MicroLED互連方案，瞄準AI資料中心多種短距離互連應用，並朝高頻寬密度、低功耗、低延遲方向推進。

　　台系IC設計龍頭聯發科則與微軟研究院及其他供應商組成聯合研發團隊，開發採用微型化MicroLED光源的次世代AOC。

　　新方案以數百條平行運作的寬頻低速MicroLED通道，取代傳統窄頻高速雷射通道，不僅可延伸傳輸距離，功耗較傳統VCSEL AOC最高可降五成，並訴求銅纜等級可靠度，鎖定AI訓練叢集跨機櫃互連需求。

　　至於Credo，雖然短期營運主軸仍由AEC放量驅動，但公司已將Mic roLED視為下一代光互連的重要技術方向，並規劃延伸至ALC與OmniC onnect架構。