為實現更高能源轉換效率，英飛凌宣布推出新一代碳化矽（SiC） MOSFET溝槽式技術。與上一代產品相比，英飛凌全新的CoolSiC MOS FET Generation 2（G2）技術在確保品質和可靠性的前提下，將MOS FET的主要性能指標（如能量和電荷儲量）提高20％，不僅提升整體 能效，更進一步推動低碳化進程。

　　與前幾代產品相比，採用新一代CoolSiC的電動汽車直流快速充電 站最高可減少10％的功率損耗，並且在不影響外形尺寸的情況下實現 更高的充電功率，以進一步增加電動汽車的續航里程。

　　而在再生能源領域，採用新技術的太陽能逆變器可以在保持高功率 輸出的同時實現更小的尺寸，進而降低每瓦成本。

　　英飛凌指出，透過高效的方式來產生、傳輸及消耗能源已是目前趨 勢，為此，英飛凌開發新一代SiC MOSFET溝槽式技術，使廠商能夠更 快地設計出成本更低、結構更精簡、性能更可靠，且效率更高的系統 ，以滿足光伏、儲能、直流電動汽車充電、馬達驅動和工業電源等功 率半導體應用領域。

　　英飛凌持續拓展化合物半導體布局，除了強化其在SiC的技術發展 之外，日前也宣布與太陽能系統開發商Worksport合作，共同利用氮 化鎵（GaN）降低可攜式發電站的重量和成本。

　　在採用GaN電晶體後，Worksport可攜式發電站的功率轉換器將變得 更輕、更小，系統成本也將隨之降低。

　　另外，為進一步提升成長動能，英飛凌也調整組織結構，其業務團 隊圍繞三個以客戶為中心的業務領域進行架構，分別為汽車業務、工 業與基礎設施業務，以及消費、計算與通訊業務；新的組織架構以客 戶的應用需求為中心，已於全球施行同時優化區域布局。